• SK하이닉스, 2023년 경영실적 발표… “4분기 흑자 전환”

  2023년 연간 매출 32조 7657억 원, 영업손실 7조 7303억 원 “최적의 메모리 솔루션 제시하는 ‘토털 AI 메모리 프로바이더’로 성장할 것” 메모리 반도체 업황 반등이 본격화된 가운데 SK하이닉스가 지난해 4분기 3460억 원의 영업이익을 기록하며 흑자 전환에 성공했다. 이로써 회사는 2022년 4분기부터 이어져온 영업적자에서 1년 만에 벗어났다. SK하이닉스는 25일 실적발표회를 열고, 지난해 4분기 매출 11조 3055억 원, 영업이익 3460억 원(영업이익률 3%), 순손실 1조 3795억 원(순손실률 12%)의 경영실적을 기록했다고 밝혔다. (K-IFRS 기준) SK하이닉스는 “지난해 4분기 AI 서버와 모바일향 제품 수요가 늘고, 평균판매단가(ASP, Average Selling Price)가 상승하는 등 메모리 시장 환경이 개선됐다”며, “이와 함께 그동안 지속해온 수익성 중심 경영활동이 효과를 내면서 당사는 1년 만에 분기 영업흑자를 기록하게 됐다”고 설명했다. 이에 따라 회사는 지난해 3분기까지 이어져온 누적 영업적자 규모를 줄여, 2023년 연간 실적은 매출 32조 7657억 원, 영업손실 7조 7303억 원(영업손실률 24%), 순손실 9조 1375억 원(순손실률 28%)을 기록했다. 지난해 SK하이닉스는 D램에서 시장을 선도하는 기술력을 바탕으로 고객 수요에 적극 대응한 결과, 주력제품인 DDR5와 HBM3 매출이 전년 대비 각각 4배, 5배 이상으로 증가했다고 밝혔다. 다만, 상대적으로 업황 반등이 늦어지고 있는 낸드에서는 투자와 비용을 효율화하는 데 집중했다고 언급했다. SK하이닉스는 고성능 D램 수요 증가 흐름에 맞춰 AI용 메모리인 HBM3E 양산과 HBM4 개발을 순조롭게 진행하는 한편, 서버와 모바일 시장에 DDR5, LPDDR5T 등 고성능, 고용량 제품을 적기에 공급하기로 했다. 또, 회사는 지속적으로 확대되는 AI향 서버 수요와 온디바이스(on-device) AI 응용 확산을 대비해 고용량 서버용 모듈 MCRDIMM*과 고성능 모바일 모듈 LPCAMM2** 준비에도 만전을 기해 기술 리더십을 지켜간다는 계획이다. *MCRDIMM(Multiplexer Combined Ranks Dual In-line Memory Module) : 여러 개의 D램이 기판에 결합된 모듈 제품으로, 모듈의 기본 정보처리 동작 단위인 랭크(Rank) 2개가 동시 작동되어 속도가 향상된 제품임 **LPCAMM2(Low Power Compression Attached Memory Module 2) : LPDDR5X 기반의 모듈 솔루션 제품으로 기존 DDR5 SODIMM 2개를 LPCAMM2 1개로 대체하는 성능 효과를 가지면서 공간 절약 뿐만 아니라 저전력과 고성능 특성을 구현 낸드의 경우, 회사는 eSSD 등 프리미엄 제품 중심으로 판매를 확대해 수익성을 개선하고 내실을 다지기로 했다. 한편, 올해 SK하이닉스는 지난해와 마찬가지로 고부가가치 제품 중심으로 생산을 늘리며 수익성과 효율성을 높이는 기조를 유지하는 한편, 투자비용(CAPEX) 증가는 최소화해 안정적인 사업 운영에 방점을 두겠다고 강조했다. SK하이닉스 김우현 부사장(CFO)은 “장기간 이어져온 다운턴에서도 회사는 AI 메모리 등 기술 리더십을 공고히 하며 지난해 4분기 흑자 전환과 함께 실적 반등을 본격화하게 됐다”며, “새로운 도약의 시기를 맞아 변화를 선도하고 고객맞춤형 솔루션을 제시하면서 ‘토털 AI 메모리 프로바이더’로 성장해 갈 것”이라고 말했다.

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  2024-01-25

• SK하이닉스 3분기 경영실적 발표... D램 흑자 전환

  D램, 프리미엄 제품 판매 호조로 2개 분기 만에 흑자 전환 "미래 AI 인프라의 핵심 회사로서 앞선 기술력으로 새로운 시장 열어갈 것" SK하이닉스는 26일 실적발표회를 열고, 올해 3분기 매출 9조 662억 원, 영업손실 1조 7920억 원(영업손실률 20%), 순손실 2조 1847억 원(순손실률 24%)의 경영실적을 달성했다고 발표했다. (K-IFRS 기준) SK하이닉스는 “고성능 메모리 제품을 중심으로 시장 수요가 증가하면서 회사 경영실적은 지난 1분기를 저점으로 지속적으로 개선되고 있다”며, “특히 대표적인 AI용 메모리인 HBM3, 고용량 DDR5와 함께 고성능 모바일 D램 등 주력제품들의 판매가 호조를 보이며 전분기 대비 매출은 24% 증가하고 영업손실은 38% 감소했다”고 설명했다. 회사는 또, “무엇보다 올해 1분기 적자로 돌아섰던 D램이 2개 분기 만에 흑자 전환한 데 의미를 두고 있다”고 강조했다. 매출 증가 추세에 대해 SK하이닉스는 D램과 낸드 모두 판매량이 늘어난 것은 물론, D램 평균판매가격(ASP, Average Selling Price) 상승이 큰 영향을 미쳤다고 분석했다. 제품별로 보면, D램은 AI 등 고성능 서버용 제품 판매 호조에 힘입어 2분기 대비 출하량이 약 20% 늘어났고, ASP 또한 약 10% 상승했다. 낸드도 고용량 모바일 제품과 SSD(Solid State Drive) 중심으로 출하량이 늘었다. 흑자로 돌아선 D램은 생성형 AI 붐과 함께 시황이 지속해서 호전될 전망이다. 적자가 이어지고 있는 낸드도 시황이 나아지는 조짐이 서서히 나타나고 있어 회사는 전사 경영실적의 개선 추세를 이어가기 위해 만전을 기하겠다는 입장이다. 실제로 올 하반기 메모리 공급사들의 감산 효과가 가시화되는 가운데 재고가 줄어든 고객 중심으로 메모리 구매 수요가 창출되고 있으며 제품 가격도 안정세에 접어들고 있다. 이런 흐름에 맞춰 SK하이닉스는 HBM과 DDR5, LPDDR5 등 고부가 주력제품에 대한 투자를 늘리기로 했다. 회사는 D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하는 한편, HBM과 TSV*에 대한 투자를 확대한다는 계획이다. * TSV(Through Silicon Via): D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 어드밴스드 패키징(Advanced Packaging) 기술 SK하이닉스 김우현 부사장(CFO)은 “당사는 고성능 메모리 시장을 선도하면서 미래 AI 인프라의 핵심이 될 회사로 탄탄하게 자리매김하고 있다”며, “앞으로 HBM, DDR5 등 당사가 글로벌 수위(首位)를 점한 제품들을 통해 기존과는 다른 새로운 시장을 창출해낼 것이며, 고성능 프리미엄 메모리 1등 공급자로서의 입지를 지속 강화해 나가겠다”고 말했다. [끝]

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  2023-10-26

• SK하이닉스, 세계 최고층 321단 낸드 샘플 공개

  PCIe 5세대, UFS 4.0 등 차세대 낸드 솔루션 제품도 소개해“AI 시대가 요구하는 고성능 낸드 개발을 위해 지속 혁신할 것”SK하이닉스가 ‘321단 4D 낸드’ 샘플을 공개하며 업계 최초로 300단 이상 낸드 개발을 진행중이라고 공식화했다.SK하이닉스는 8일(현지시간) 미국 산타클라라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit, FMS) 2023’*에서 321단 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell)* 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하고 개발 단계의 샘플을 전시했다.* 플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit, FMS): 매년 미국 캘리포니아 주 산타클라라에서 열리는 낸드플래시 업계 세계 최대 규모 컨퍼런스(Conference)* 낸드플래시는 한 개의 셀(Cell)에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 SLC(Single Level Cell, 1개)-MLC(Multi Level Cell, 2개)-TLC(TripleLevel Cell, 3개)-QLC(Quadruple Level Cell, 4개)-PLC(Penta Level Cell, 5개) 등으로 규격이 나뉨. 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있음메모리 업계에서 300단 이상 낸드의 구체적인 개발 경과를 공개한 것은 SK하이닉스가 처음이다. 회사는 321단 낸드의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산하겠다는 계획도 밝혔다.SK하이닉스관계자는 "양산중인 현존 최고층 238단 낸드를 통해 축적한 기술력을 바탕으로 321단 낸드 개발을 순조롭게 진행하고 있다"며 "적층 한계를 다시 한번 돌파해 SK하이닉스가 300단대 낸드 시대를 열고 시장을 주도할 것"이라고 강조했다.321단 1Tb TLC 낸드는 이전 세대인 238단 512Gb(기가비트) 대비 생산성이 59% 높아졌다. 데이터를 저장하는 셀을 더 높은 단수로 적층, 한 개의 칩으로 더 큰 용량을 구현할 수 있어 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 전체 용량이 늘었기 때문이다.최근 메모리 시장은 챗(Chat)GPT가 촉발한 생성형 AI 시장의 성장으로 더 많은 데이터를 더 빠르게 처리하고 저장하기 위한 고성능, 고용량 메모리 수요가 급격히 증가하고 있다.SK하이닉스는이러한 수요에 최적화된 차세대 낸드 솔루션 제품인 PCIe 5세대(Gen5) 인터페이스를 적용한 기업용 SSD(Enterprise SSD, eSSD)와 UFS 4.0도 이번 행사에서 소개했다.회사는 이 제품들이 업계 최고 수준의 성능을 확보해 고성능을 강조하는 고객들의 요구를 충분히 충족시킬 것으로 기대했다.이어 이번 제품들을 통해 진일보한 회사의 자체 솔루션 개발 기술력을 바탕으로 다음 세대인 PCIe 6세대와 UFS 5.0 개발에 착수한 사실을 알리며, 업계 기술 트렌드를 선도하겠다는 의지도 피력했다.SK하이닉스최정달 부사장(NAND개발담당)은 행사 기조연설에서 “당사는 4D 낸드 5세대 321단 제품을 개발해 낸드 기술리더십을 공고히 할 계획”이라며 “AI 시대가 요구하는 고성능, 고용량 낸드를 시장에 주도적으로 선보이며 혁신을 이끌어가겠다”고 말했다.

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  2023-08-09

• SK하이닉스, 2023년 2분기 경영실적 발표

  HBM3, DDR5 등 프리미엄 제품 판매 호조로 매출 확대, 영업손실폭 축소 "메모리업황 회복 국면... AI 메모리 경쟁력 강화로 실적 개선 가속화"SK하이닉스는 26일 실적발표회를 열고, 올해 2분기 매출 7조 3059억 원, 영업손실 2조 8821억 원(영업손실률 39%), 순손실 2조 9879억 원(순손실률 41%)의 경영실적을 기록했다고 밝혔다. (K-IFRS 기준)회사는 "챗GPT를 중심으로 한 생성형 AI 시장이 확대되면서 AI 서버용 메모리 수요가 급증했다"며 "이에 따라 HBM3와 DDR5 등 프리미엄 제품 판매가 늘어나, 2분기 매출은 1분기 대비 44% 커지고, 영업손실은 15% 감소했다”고 설명했다.SK하이닉스에따르면, 2분기에 D램과 낸드 판매량이 공히 늘었고, 특히 D램의 평균판매가격(ASP, Average Selling Price)이 전분기 대비 상승한 것이 매출 증가에 큰 영향을 미쳤다. PC, 스마트폰 시장이 약세를 이어가며 DDR4 등 일반 D램 가격은 하락세를 이어갔으나, AI 서버에 들어가는 높은 가격의 고사양 제품 판매가 늘어 D램 전체 ASP가 1분기보다 높아진 것이다.또, 회사는 전사적인 비용 절감 노력을 지속하는 가운데 재고평가손실이 감소하면서 영업손실폭을 줄일 수 있었다.[참고] SK하이닉스 상반기 영업손실률: 1분기 67% → 2분기 39%이날 실적발표회에서 회사는 최근 메모리 업황에 대해 AI 메모리 수요 강세가 올 하반기에도 지속되고, 메모리 기업들의 감산 효과도 뚜렷해질 것으로 진단했다.이에 따라 SK하이닉스는 앞으로도 AI용 메모리인 HBM3, 고성능 D램인 DDR5, LPDDR5와 176단 낸드 기반 SSD를 중심으로 판매를 꾸준히 늘려 하반기 실적 개선 속도를 높이겠다는 복안이다.더불어 회사는 올해 10나노급 5세대(1b) D램과 238단 낸드의 초기 양산 수율과 품질을 향상시켜 다가올 업턴(Upturn) 때 양산 비중을 빠르게 늘리겠다고 밝혔다. 다만 회사는 D램에 비해 낸드의 재고 감소 속도가 더디다고 보고, 낸드 제품의 감산 규모를 확대하기로 했다.SK하이닉스김우현 부사장(CFO)은 “전사 투자를 전년 대비 50% 이상 축소한다는 기조에는 변함 없지만, 그동안 경영 효율화를 통해 확보한 재원으로 향후 시장 성장을 주도할 고용량 DDR5와 HBM3의 생산능력을 확대하기 위한 투자는 지속하겠다”고 말했다.김 부사장은 또, “메모리 반도체 시장은 1분기를 저점으로 이제 회복 국면에 접어드는 것으로 보인다"며 “당사는 고성능 제품 기술경쟁력을 바탕으로 빠르게 실적을 개선하도록 노력할 것”이라고 덧붙였다. <끝>

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  2023-07-26

• SK하이닉스, 2023년 1분기 경영실적 발표

  수요 부진, 가격 하락으로 영업손실 이어졌으나, 2분기 매출 개선 기대 “DDR5/LPDDR5, HBM3 등 주력제품 앞세워 프리미엄 시장 선도”SK하이닉스는 26일 실적발표회를 열고, 올해 1분기 매출 5조 881억 원, 영업손실 3조 4023억 원(영업손실률 67%), 순손실 2조 5855억 원(순손실률 51%)의 경영실적을 발표했다. (K-IFRS 기준) SK하이닉스는 “메모리 반도체 다운턴 상황이 1분기에도 지속되며, 수요 부진과 제품 가격 하락 추세가 이어져 당사는 전분기 대비 매출이 감소하고, 영업손실은 확대됐다”며 “그러나 1분기를 저점으로 점진적으로 판매량이 늘어나면서 2분기에는 매출 실적이 반등할 것으로 보고 있다”고 밝혔다. SK하이닉스는 1분기에 고객이 보유한 재고가 감소세로 돌아섰고, 2분기부터는 메모리 감산에 따른 공급 기업들의 재고도 줄어들 것으로 예상되는 만큼 하반기부터는 시장환경이 개선될 것으로 전망했다. 챗GPT 등 AI용 고성능 서버 시장 규모가 커지고, 고용량 메모리를 채용하는 고객이 늘고 있는 점 또한 시장에 긍정적인 영향을 미칠 것으로 회사는 분석했다.이에 따라, 회사는 서버용 DDR5, HBM과 같은 고성능 D램, 176단 낸드 기반의 SSD, uMCP 제품 중심으로 판매에 집중해 매출을 늘려가기로 했다. SK하이닉스는 전사적으로 투자를 줄여가는 상황에서도 AI 등 앞으로 시장 변화를 주도해 나갈 산업에 활용되는 최신 메모리 제품에 대한 투자는 지속한다는 계획이다. 이와 함께 10나노급 5세대(1b) D램, 238단 낸드 등 기존보다 원가 경쟁력이 높은 공정을 통한 양산 준비에 투자하면서 시황 개선시 실적이 빠르게 반등할 수 있도록 만전을 기할 방침이다. SK하이닉스 김우현 부사장(CFO)은 “DDR5/LPDDR5,HBM3 등 올해부터 수요 성장세가 본격화되고 있는 제품 라인업에서 당사가 세계 최고 경쟁력을 확보한 만큼, 이 제품들을 중심으로 프리미엄 시장 리더십을 확고히 하겠다”고 말했다. 김 부사장은 “여전히 메모리 시장환경은 어려운 것이 사실이지만, 이제 바닥을 지나는 것으로 보인다”며 “조만간 시장이 수급 균형점을 찾을 것이라 보고, 당사는 수익성 제고와 기술개발에 집중해 기업가치를 회복해 나가도록 최선을 다할 것”이라고 덧붙였다.

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  2023-04-26

• 광주시 대표 유망중소기업 및 향토기업 12곳 선정

  광주시는 ‘2023년 유망중소기업 및 향토기업’으로 ㈜태광아이티씨·㈜진우목재 등 12개 업체를 선정했다고 18일 밝혔다. 시는 기업 경쟁력을 강화하고 기업인의 사기 진작과 자긍심 제고를 위해 매년 지역경제 활성화에 기여한 업체를 대상으로 유망중소기업과 향토기업을 선정해 왔다.유망중소기업의 경우 공장등록 후 2년 이상 운영, 성장 잠재력이 높고 기술력이 우수한 업체를, 향토기업은 관내에서 20년 이상 운영, 고용창출 및 지역사회 공헌 등 지역경제 활성화에 기여한 업체를 대상으로 1차 서류평가, 2차 광주시 중소기업지원위원회 심의를 거쳐 선정했다.올해는 유망중소기업으로 ㈜태광아이티씨 외 8개 기업, 향토기업으로는 ㈜진우목재 외 2개 기업이 선정됐다. 선정된 기업에게는 현판 및 공로패(인증서)를 수여하고, 공영주차요금 전액 감면, 육성자금 지원(특례보증, 이차보전 0.5% 추가 감면), 지방세 세무조사 3년 유예, 시책 사업 추천 및 가점 등 시에서 지원하는 각종 인센티브가 제공된다.방세환 광주시장은 "앞으로도 지역을 대표하는 유망한 기업체와 관내에서 지역경제 활성화에 기여도 높은 향토기업을 지속적으로 발굴, 육성해 나갈 예정"이라고 밝혔다.

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  2023-04-18

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• SK하이닉스, 초고성능 AI 메모리 ‘HBM3E’

  HBM3에 이어 확장 버전인 HBM3E도 세계 최초 대규모 양산 돌입 개발 7개월 만에 고객 공급 시작…최고 성능 AI 구현 기대 “글로벌 1위 AI 메모리 기술 및 비즈니스 경쟁력 공고히 할 것” SK하이닉스가 HBM 5세대 HBM3E D램에서도 AI 메모리 선도 기업의 위상을 공고히 한다. SK하이닉스는 초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM3E*를 세계 최초로 양산해 3월 말부터 제품 공급을 시작한다고 19일 밝혔다. 이는 회사가 지난해 8월 HBM3E 개발을 알린 지 7개월 만에 이룬 성과다. HBM(High Bandwidth Memory): 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발됨. HBM3E는 HBM3의 확장(Extended) 버전 SK하이닉스는 “당사는 HBM3에 이어 현존 D램 최고 성능이 구현된 HBM3E 역시 가장 먼저 고객에 공급하게 됐다”며, “HBM3E 양산도 성공적으로 진행해 AI 메모리 시장에서의 경쟁우위를 이어 가겠다”고 밝혔다. 엄청난 양의 데이터를 빠르게 처리해야 하는 AI 시스템을 구현하기 위해서는 수많은 AI 프로세서와 메모리를 다중 연결(Multi-connection)하는 식으로 반도체 패키지가 구성돼야 한다. 따라서 AI에 투자를 늘리고 있는 글로벌 빅테크 기업들은 AI 반도체 성능에 대한 요구 수준을 계속 높여가고 있으며, HBM3E는 이를 충족시켜줄 현존 최적의 제품이 될 것으로 SK하이닉스는 기대하고 있다. HBM3E는 속도와 발열 제어 등 AI 메모리에 요구되는 모든 부문에서 세계 최고 성능을 갖췄다고 회사는 강조했다. 이 제품은 초당 최대 1.18TB(테라바이트)의 데이터를 처리하며, 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 또, AI 메모리는 극도로 빠른 속도로 작동해야 하는 만큼 효과적인 발열 제어가 관건이다. 회사는 이를 위해 신제품에 어드밴스드(Advanced) MR-MUF* 공정을 적용, 열 방출 성능을 이전 세대 대비 10% 향상시켰다. MR-MUF: 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가. 특히, SK하이닉스의 어드밴스드 MR-MUF는 기존 공정보다 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고, 휨 현상 제어(Warpage control)도 향상해 HBM 공급 생태계 내에서 안정적인 양산성을 확보하는 데 핵심이 되고 있음 SK하이닉스 류성수 부사장(HBM Business담당)은 “당사는 세계 최초 HBM3E 양산을 통해 AI 메모리 업계를 선도하는 제품 라인업을 한층 강화했다”며, “그동안 축적해온 성공적인 HBM 비즈니스 경험을 토대로 고객관계를 탄탄히 하면서 ‘토털(Total) AI 메모리 프로바이더(Provider)’로서의 위상을 굳혀 나가겠다”고 말했다.

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  2024-03-19

• SK하이닉스, 2023년 경영실적 발표… “4분기 흑자 전환”

  2023년 연간 매출 32조 7657억 원, 영업손실 7조 7303억 원 “최적의 메모리 솔루션 제시하는 ‘토털 AI 메모리 프로바이더’로 성장할 것” 메모리 반도체 업황 반등이 본격화된 가운데 SK하이닉스가 지난해 4분기 3460억 원의 영업이익을 기록하며 흑자 전환에 성공했다. 이로써 회사는 2022년 4분기부터 이어져온 영업적자에서 1년 만에 벗어났다. SK하이닉스는 25일 실적발표회를 열고, 지난해 4분기 매출 11조 3055억 원, 영업이익 3460억 원(영업이익률 3%), 순손실 1조 3795억 원(순손실률 12%)의 경영실적을 기록했다고 밝혔다. (K-IFRS 기준) SK하이닉스는 “지난해 4분기 AI 서버와 모바일향 제품 수요가 늘고, 평균판매단가(ASP, Average Selling Price)가 상승하는 등 메모리 시장 환경이 개선됐다”며, “이와 함께 그동안 지속해온 수익성 중심 경영활동이 효과를 내면서 당사는 1년 만에 분기 영업흑자를 기록하게 됐다”고 설명했다. 이에 따라 회사는 지난해 3분기까지 이어져온 누적 영업적자 규모를 줄여, 2023년 연간 실적은 매출 32조 7657억 원, 영업손실 7조 7303억 원(영업손실률 24%), 순손실 9조 1375억 원(순손실률 28%)을 기록했다. 지난해 SK하이닉스는 D램에서 시장을 선도하는 기술력을 바탕으로 고객 수요에 적극 대응한 결과, 주력제품인 DDR5와 HBM3 매출이 전년 대비 각각 4배, 5배 이상으로 증가했다고 밝혔다. 다만, 상대적으로 업황 반등이 늦어지고 있는 낸드에서는 투자와 비용을 효율화하는 데 집중했다고 언급했다. SK하이닉스는 고성능 D램 수요 증가 흐름에 맞춰 AI용 메모리인 HBM3E 양산과 HBM4 개발을 순조롭게 진행하는 한편, 서버와 모바일 시장에 DDR5, LPDDR5T 등 고성능, 고용량 제품을 적기에 공급하기로 했다. 또, 회사는 지속적으로 확대되는 AI향 서버 수요와 온디바이스(on-device) AI 응용 확산을 대비해 고용량 서버용 모듈 MCRDIMM*과 고성능 모바일 모듈 LPCAMM2** 준비에도 만전을 기해 기술 리더십을 지켜간다는 계획이다. *MCRDIMM(Multiplexer Combined Ranks Dual In-line Memory Module) : 여러 개의 D램이 기판에 결합된 모듈 제품으로, 모듈의 기본 정보처리 동작 단위인 랭크(Rank) 2개가 동시 작동되어 속도가 향상된 제품임 **LPCAMM2(Low Power Compression Attached Memory Module 2) : LPDDR5X 기반의 모듈 솔루션 제품으로 기존 DDR5 SODIMM 2개를 LPCAMM2 1개로 대체하는 성능 효과를 가지면서 공간 절약 뿐만 아니라 저전력과 고성능 특성을 구현 낸드의 경우, 회사는 eSSD 등 프리미엄 제품 중심으로 판매를 확대해 수익성을 개선하고 내실을 다지기로 했다. 한편, 올해 SK하이닉스는 지난해와 마찬가지로 고부가가치 제품 중심으로 생산을 늘리며 수익성과 효율성을 높이는 기조를 유지하는 한편, 투자비용(CAPEX) 증가는 최소화해 안정적인 사업 운영에 방점을 두겠다고 강조했다. SK하이닉스 김우현 부사장(CFO)은 “장기간 이어져온 다운턴에서도 회사는 AI 메모리 등 기술 리더십을 공고히 하며 지난해 4분기 흑자 전환과 함께 실적 반등을 본격화하게 됐다”며, “새로운 도약의 시기를 맞아 변화를 선도하고 고객맞춤형 솔루션을 제시하면서 ‘토털 AI 메모리 프로바이더’로 성장해 갈 것”이라고 말했다.

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  2024-01-25

• 여주시 기업인협의회 12월 정례회의 및 송년회 개최

  여주시 기업인협의회(회장 문효근)는 지난 12일 썬밸리호텔에서 40여 명의 회원이 참석한 가운데 12월 정례회의 및 송년회를 개최했다. 이날 송년회에서 여주시 에스지판넬 문효군 대표, 큐원(주) 한석훈 대표를 비롯한 기업인협의회에서는 불우이웃 성금 500만원을 기부함과 함께 약600만원 상당의 인테리어 벽지를 기탁하여 지역공동체와의 상생협력을 도모했다. 이어지는 시상식에서는 경기도경제과학진흥원 이소연 동부권역 센터장은 지역경제활성화 및 상생협력을 위한 소통에 대한 유공을 기려 ㈜미력 임용화 대표, ㈜신스틸 김신일 대표를 대상으로 여주시 우수기업인 표창을 수여했다. 이번 행사에는 이충우 여주시장, 정병관 여주시의회 의장, 경기신용보증재단 여주지점장 배인섭, 경기도경제과학진흥원 동부권역센터장 이소연, 여주시 일자리경제과장 신지철 등이 참석했다. 이충우 여주시장은 “어려운 국내외 경제 여건 속에서도 고군분투한 여주시 기업체 분들께 깊은 감사의 말씀을 드리며, 여러분들이 여주시 경제의 기둥과 같은 역할을 수행중인 만큼 여주시에서도 2024년에는 더욱더 많은 관심을 통해 관내 기업체들이 성장을 이어나갈 수 있도록 노력하겠다.”며 관내 기업체들에 대한 격려와 함께 여주시 기업체들의 지원을 위해 노력할 것을 약속했고, 이후 2024년에 수행될 디자인개발 지원사업, 개발생산판로 지원사업, 기술닥터 사업 등 여주시 기업지원 사업들에 대해 설명했다. 한편, 여주시는 지난 1월 1일 「여주시 투자유치 촉진 등에 관한 조례」를 마련하였고 4월 11일에는 지속적 건의를 통한 자연보전권역 제조시설 면적 확대 규제완화(산업집적법 시행령 개정)를 이뤄냈고 지역 기업들의 판로 확보를 위한 「여주시 지역제품 카탈로그 제작」하는 등 지역 기업체에 도움이 되고자 다양한 시책을 펼치고 있다.

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  2023-12-15

• SK하이닉스 3분기 경영실적 발표... D램 흑자 전환

  D램, 프리미엄 제품 판매 호조로 2개 분기 만에 흑자 전환 "미래 AI 인프라의 핵심 회사로서 앞선 기술력으로 새로운 시장 열어갈 것" SK하이닉스는 26일 실적발표회를 열고, 올해 3분기 매출 9조 662억 원, 영업손실 1조 7920억 원(영업손실률 20%), 순손실 2조 1847억 원(순손실률 24%)의 경영실적을 달성했다고 발표했다. (K-IFRS 기준) SK하이닉스는 “고성능 메모리 제품을 중심으로 시장 수요가 증가하면서 회사 경영실적은 지난 1분기를 저점으로 지속적으로 개선되고 있다”며, “특히 대표적인 AI용 메모리인 HBM3, 고용량 DDR5와 함께 고성능 모바일 D램 등 주력제품들의 판매가 호조를 보이며 전분기 대비 매출은 24% 증가하고 영업손실은 38% 감소했다”고 설명했다. 회사는 또, “무엇보다 올해 1분기 적자로 돌아섰던 D램이 2개 분기 만에 흑자 전환한 데 의미를 두고 있다”고 강조했다. 매출 증가 추세에 대해 SK하이닉스는 D램과 낸드 모두 판매량이 늘어난 것은 물론, D램 평균판매가격(ASP, Average Selling Price) 상승이 큰 영향을 미쳤다고 분석했다. 제품별로 보면, D램은 AI 등 고성능 서버용 제품 판매 호조에 힘입어 2분기 대비 출하량이 약 20% 늘어났고, ASP 또한 약 10% 상승했다. 낸드도 고용량 모바일 제품과 SSD(Solid State Drive) 중심으로 출하량이 늘었다. 흑자로 돌아선 D램은 생성형 AI 붐과 함께 시황이 지속해서 호전될 전망이다. 적자가 이어지고 있는 낸드도 시황이 나아지는 조짐이 서서히 나타나고 있어 회사는 전사 경영실적의 개선 추세를 이어가기 위해 만전을 기하겠다는 입장이다. 실제로 올 하반기 메모리 공급사들의 감산 효과가 가시화되는 가운데 재고가 줄어든 고객 중심으로 메모리 구매 수요가 창출되고 있으며 제품 가격도 안정세에 접어들고 있다. 이런 흐름에 맞춰 SK하이닉스는 HBM과 DDR5, LPDDR5 등 고부가 주력제품에 대한 투자를 늘리기로 했다. 회사는 D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하는 한편, HBM과 TSV*에 대한 투자를 확대한다는 계획이다. * TSV(Through Silicon Via): D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 어드밴스드 패키징(Advanced Packaging) 기술 SK하이닉스 김우현 부사장(CFO)은 “당사는 고성능 메모리 시장을 선도하면서 미래 AI 인프라의 핵심이 될 회사로 탄탄하게 자리매김하고 있다”며, “앞으로 HBM, DDR5 등 당사가 글로벌 수위(首位)를 점한 제품들을 통해 기존과는 다른 새로운 시장을 창출해낼 것이며, 고성능 프리미엄 메모리 1등 공급자로서의 입지를 지속 강화해 나가겠다”고 말했다. [끝]

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  2023-10-26

• SK하이닉스, 세계 최고 사양 ‘HBM3E’ 개발,

  AI 기술 혁신 이끌 최고 성능 구현, 내년 상반기 양산HBM3에 이어 AI용 메모리 시장 독보적 지위 이어갈 전망“업계 최대 HBM 양산 경험 토대로 공급 확대해 실적 반등 가속화” SK하이닉스가 AI용 초고성능 D램 신제품인 ‘HBM3E’* 개발에 성공하고, 성능 검증 절차를 진행하기 위해 고객사에 샘플을 공급하기 시작했다고 21일 밝혔다.* HBM(High Bandwidth Memory): 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발됨. HBM3E는 HBM3의 확장(Extended) 버전SK하이닉스는 “당사는 HBM3를 독점적으로양산해온 경험을 바탕으로 세계 최고 성능이 구현된 확장 버전인 HBM3E를 개발하는 데 성공했다”며 “업계 최대 HBM 공급 경험과 양산 성숙도를 토대로 내년 상반기부터 HBM3E 양산에 들어가 AI용 메모리 시장에서 독보적인 지위를 확고히 하겠다”고 강조했다.회사에 따르면 이번 HBM3E는 AI용 메모리의 필수 사양인 속도는 물론, 발열 제어, 고객 사용 편의성 등 모든 측면에서 세계 최고 수준을 충족시켰다.속도 측면에서 HBM3E는 초당 최대 1.15TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB = 5기가바이트) 230편 이상 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다.이와 함께, SK하이닉스 기술진은 이번 제품에 어드밴스드 MR-MUF* 최신 기술을 적용해 제품의 열 방출 성능을 기존 대비 10% 향상시켰다. HBM3E는 하위 호환성(Backward compatibility)**도 갖춰, 고객은 HBM3를 염두에 두고 구성한 시스템에서도 설계나 구조 변경 없이 신제품을 적용할 수 있다.* MR-MUF: 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적인 공정으로 평가받음** 하위 호환성(Backward compatibility): 과거 버전 제품과 호환되도록 구성된 IT/컴퓨팅 시스템 내에서 신제품이 별도로 수정이나 변경 없이 그대로 쓰일 수 있는 것을 뜻함. 가령, CPU나 GPU 업체 입장에서는 메모리반도체 신제품이 하위 호환성을 갖추고 있으면 신제품에 특화한 설계 변경 등을 진행하지 않고 기존의 CPU/GPU를 그대로 쓸 수 있는 장점이 있음엔비디아 하이퍼스케일, HPC(Hyperscale and HPC) 담당 이안 벅(Ian Buck) 부사장은 “엔비디아는 최선단 가속 컴퓨팅 솔루션즈(Accelerated Computing Solutions)용 HBM을 위해 SK하이닉스와 오랜 기간 협력을 지속해왔다”며 “앞으로도 차세대 AI 컴퓨팅을 선보이고자 HBM3E 분야에서 양사간의 협업이 계속되길 기대한다”고 밝혔다.SK하이닉스 류성수 부사장(DRAM상품기획담당)은 “당사는 HBM3E를 통해 AI 기술 발전과 함께 각광 받고 있는 HBM 시장에서 제품 라인업의 완성도를 높이며 시장 주도권을 확고히 하게 됐다”며 “앞으로 고부가 제품인 HBM 공급 비중이 계속 높아져 경영실적 반등 흐름이 가속화될 것”이라고 말했다. [끝]

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  2023-08-21

• SK하이닉스, 세계 최고층 321단 낸드 샘플 공개

  PCIe 5세대, UFS 4.0 등 차세대 낸드 솔루션 제품도 소개해“AI 시대가 요구하는 고성능 낸드 개발을 위해 지속 혁신할 것”SK하이닉스가 ‘321단 4D 낸드’ 샘플을 공개하며 업계 최초로 300단 이상 낸드 개발을 진행중이라고 공식화했다.SK하이닉스는 8일(현지시간) 미국 산타클라라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit, FMS) 2023’*에서 321단 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell)* 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하고 개발 단계의 샘플을 전시했다.* 플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit, FMS): 매년 미국 캘리포니아 주 산타클라라에서 열리는 낸드플래시 업계 세계 최대 규모 컨퍼런스(Conference)* 낸드플래시는 한 개의 셀(Cell)에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 SLC(Single Level Cell, 1개)-MLC(Multi Level Cell, 2개)-TLC(TripleLevel Cell, 3개)-QLC(Quadruple Level Cell, 4개)-PLC(Penta Level Cell, 5개) 등으로 규격이 나뉨. 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있음메모리 업계에서 300단 이상 낸드의 구체적인 개발 경과를 공개한 것은 SK하이닉스가 처음이다. 회사는 321단 낸드의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산하겠다는 계획도 밝혔다.SK하이닉스관계자는 "양산중인 현존 최고층 238단 낸드를 통해 축적한 기술력을 바탕으로 321단 낸드 개발을 순조롭게 진행하고 있다"며 "적층 한계를 다시 한번 돌파해 SK하이닉스가 300단대 낸드 시대를 열고 시장을 주도할 것"이라고 강조했다.321단 1Tb TLC 낸드는 이전 세대인 238단 512Gb(기가비트) 대비 생산성이 59% 높아졌다. 데이터를 저장하는 셀을 더 높은 단수로 적층, 한 개의 칩으로 더 큰 용량을 구현할 수 있어 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 전체 용량이 늘었기 때문이다.최근 메모리 시장은 챗(Chat)GPT가 촉발한 생성형 AI 시장의 성장으로 더 많은 데이터를 더 빠르게 처리하고 저장하기 위한 고성능, 고용량 메모리 수요가 급격히 증가하고 있다.SK하이닉스는이러한 수요에 최적화된 차세대 낸드 솔루션 제품인 PCIe 5세대(Gen5) 인터페이스를 적용한 기업용 SSD(Enterprise SSD, eSSD)와 UFS 4.0도 이번 행사에서 소개했다.회사는 이 제품들이 업계 최고 수준의 성능을 확보해 고성능을 강조하는 고객들의 요구를 충분히 충족시킬 것으로 기대했다.이어 이번 제품들을 통해 진일보한 회사의 자체 솔루션 개발 기술력을 바탕으로 다음 세대인 PCIe 6세대와 UFS 5.0 개발에 착수한 사실을 알리며, 업계 기술 트렌드를 선도하겠다는 의지도 피력했다.SK하이닉스최정달 부사장(NAND개발담당)은 행사 기조연설에서 “당사는 4D 낸드 5세대 321단 제품을 개발해 낸드 기술리더십을 공고히 할 계획”이라며 “AI 시대가 요구하는 고성능, 고용량 낸드를 시장에 주도적으로 선보이며 혁신을 이끌어가겠다”고 말했다.

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  2023-08-09

• SK하이닉스, 2023년 2분기 경영실적 발표

  HBM3, DDR5 등 프리미엄 제품 판매 호조로 매출 확대, 영업손실폭 축소 "메모리업황 회복 국면... AI 메모리 경쟁력 강화로 실적 개선 가속화"SK하이닉스는 26일 실적발표회를 열고, 올해 2분기 매출 7조 3059억 원, 영업손실 2조 8821억 원(영업손실률 39%), 순손실 2조 9879억 원(순손실률 41%)의 경영실적을 기록했다고 밝혔다. (K-IFRS 기준)회사는 "챗GPT를 중심으로 한 생성형 AI 시장이 확대되면서 AI 서버용 메모리 수요가 급증했다"며 "이에 따라 HBM3와 DDR5 등 프리미엄 제품 판매가 늘어나, 2분기 매출은 1분기 대비 44% 커지고, 영업손실은 15% 감소했다”고 설명했다.SK하이닉스에따르면, 2분기에 D램과 낸드 판매량이 공히 늘었고, 특히 D램의 평균판매가격(ASP, Average Selling Price)이 전분기 대비 상승한 것이 매출 증가에 큰 영향을 미쳤다. PC, 스마트폰 시장이 약세를 이어가며 DDR4 등 일반 D램 가격은 하락세를 이어갔으나, AI 서버에 들어가는 높은 가격의 고사양 제품 판매가 늘어 D램 전체 ASP가 1분기보다 높아진 것이다.또, 회사는 전사적인 비용 절감 노력을 지속하는 가운데 재고평가손실이 감소하면서 영업손실폭을 줄일 수 있었다.[참고] SK하이닉스 상반기 영업손실률: 1분기 67% → 2분기 39%이날 실적발표회에서 회사는 최근 메모리 업황에 대해 AI 메모리 수요 강세가 올 하반기에도 지속되고, 메모리 기업들의 감산 효과도 뚜렷해질 것으로 진단했다.이에 따라 SK하이닉스는 앞으로도 AI용 메모리인 HBM3, 고성능 D램인 DDR5, LPDDR5와 176단 낸드 기반 SSD를 중심으로 판매를 꾸준히 늘려 하반기 실적 개선 속도를 높이겠다는 복안이다.더불어 회사는 올해 10나노급 5세대(1b) D램과 238단 낸드의 초기 양산 수율과 품질을 향상시켜 다가올 업턴(Upturn) 때 양산 비중을 빠르게 늘리겠다고 밝혔다. 다만 회사는 D램에 비해 낸드의 재고 감소 속도가 더디다고 보고, 낸드 제품의 감산 규모를 확대하기로 했다.SK하이닉스김우현 부사장(CFO)은 “전사 투자를 전년 대비 50% 이상 축소한다는 기조에는 변함 없지만, 그동안 경영 효율화를 통해 확보한 재원으로 향후 시장 성장을 주도할 고용량 DDR5와 HBM3의 생산능력을 확대하기 위한 투자는 지속하겠다”고 말했다.김 부사장은 또, “메모리 반도체 시장은 1분기를 저점으로 이제 회복 국면에 접어드는 것으로 보인다"며 “당사는 고성능 제품 기술경쟁력을 바탕으로 빠르게 실적을 개선하도록 노력할 것”이라고 덧붙였다. <끝>

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  2023-07-26

• SK하이닉스 10나노급 5세대 DDR5,

  현존 DDR5 최고 동작속도와 함께 ‘HKMG’ 공정 통해 초저전력 구현최고 성능 1b DDR5 제품 검증 성공적으로 마무리 될 것으로 기대“최선단 1b나노 양산 시작, 업계 최고 수준 D램 경쟁력 바탕으로 하반기 실적 개선”내년 상반기 1b 공정 LPDDR5T, HBM3E 등 고사양 제품에 적용 확대 SK하이닉스는 현존 D램 중 가장 미세화된 10나노급 5세대(1b) 기술 개발을 완료하고, 이 기술이 적용된 서버용 DDR5를 인텔에 제공해 ‘인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램(The Intel Data Center Certified memory program)’ 검증 절차에 돌입했다고 30일 밝혔다.이 프로그램은 인텔의 서버용 플랫폼*인 제온 스케일러블 플랫폼(Intel® Xeon® Scalable platform)에 사용되는 메모리 제품의 호환성을 공식 인증하는성격을 갖고 있다.* 플랫폼(Platform): 하드웨어와 소프트웨어 기술이 집약된 컴퓨팅 시스템(Computing System)을 뜻함. CPU, 메모리 등 컴퓨팅을 가능하게 하는 모든 중요 구성요소를 포함하는 시스템이번에 인텔에 제공된 DDR5 제품은 동작속도가 6.4Gbps(초당 6.4기가비트)로, SK하이닉스 기술진은 현재 시장에 나와 있는 DDR5 중 최고 속도를 구현했다. 이는 DDR5 초창기 시제품*보다 데이터 처리 속도가 33% 향상된 것이다. * DDR5 초창기 시제품의 동작 속도는 4.8Gbps(초당 4.8기가비트)였고, DDR5 JEDEC 규격상 최대 동작 속도는 8.8Gbps임또, 회사는 이번 1b DDR5에 ‘HKMG(High-K Metal Gate)’* 공정을 적용해 1a DDR5 대비 전력 소모를 20% 이상 줄였다. * HKMG: 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량(Capacitance)을 개선한 차세대 공정. 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있음. SK하이닉스는 지난해 11월 모바일 D램에서 HKMG 공정을 세계 최초로 도입한 8.5Gbps LPDDR5X를 출시했음. 올해 1월에는 9.6Gbps LPDDR5T 모바일 D램에도 HKMG 공정을 적용SK하이닉스는 “1b 기술 개발을 통해 글로벌 고객들에게 높은 성능과 우수한 전성비*를 두루 갖춘 D램 제품을 공급할 수 있게 될 것이다”고 강조했다.* 전성비: 일정 전력 단위당 처리할 수 있는 초당 데이터 용량을 계산한 상대적 지표SK하이닉스 김종환 부사장(DRAM개발담당)은 “이번 제품에 앞서 지난 1월 10나노급 4세대(1a) DDR5 서버용 D램을 4세대 인텔 제온 스케일러블 프로세서(4th Gen Intel® Xeon® Scalable processors)에적용해 업계 최초로 인증 받았다. 이번 1b DDR5 제품 검증도 성공적으로 마무리될 것으로 본다”고 말했다. 김 부사장은 또, “올해 하반기부터 메모리 시장 상황이 개선될 것이라는 전망이 나오는 가운데, 당사는 1b 양산 등 업계 최고 수준의 D램 경쟁력을 바탕으로 하반기 실적 개선을 가속화할 것”이라며 “내년 상반기에는 최선단 1b 공정을 LPDDR5T, HBM3E*로도 확대 적용할 것”이라고 밝혔다.* HBM3E(HBM3 Extended): HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3) 순으로 개발돼 왔으며, HBM3 다음 세대인 5세대 제품이 HBM3E임. SK하이닉스는 올해 하반기 8Gbps 데이터 전송 성능을 갖춘 HBM3E 제품 샘플을 준비하고, 내년 양산할 예정인텔 디미트리오스 지아카스(Dimitrios Ziakas) 메모리I/O기술부문 부사장은 “인텔은 DDR5와 인텔 플랫폼의 호환성 검증을 위해 메모리 업계와 밀접하게 협업하고 있다”며 “SK하이닉스의 1b DDR5는 인텔의 차세대 제온 스케일러블 플랫폼에 활용될 것이며, 이를 위해 업계 최초로 인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램 검증을 거치고 있다"고 말했다.한편, SK하이닉스는 인텔 호환성 검증이 완료된 1a DDR5를 인텔의 다음 세대 제온 스케일러블 플랫폼에도 적용할 수 있도록 추가적인 인증 절차를 함께 진행하고 있다고 밝혔다

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  2023-05-30

• SK하이닉스, 2023년 1분기 경영실적 발표

  수요 부진, 가격 하락으로 영업손실 이어졌으나, 2분기 매출 개선 기대 “DDR5/LPDDR5, HBM3 등 주력제품 앞세워 프리미엄 시장 선도”SK하이닉스는 26일 실적발표회를 열고, 올해 1분기 매출 5조 881억 원, 영업손실 3조 4023억 원(영업손실률 67%), 순손실 2조 5855억 원(순손실률 51%)의 경영실적을 발표했다. (K-IFRS 기준) SK하이닉스는 “메모리 반도체 다운턴 상황이 1분기에도 지속되며, 수요 부진과 제품 가격 하락 추세가 이어져 당사는 전분기 대비 매출이 감소하고, 영업손실은 확대됐다”며 “그러나 1분기를 저점으로 점진적으로 판매량이 늘어나면서 2분기에는 매출 실적이 반등할 것으로 보고 있다”고 밝혔다. SK하이닉스는 1분기에 고객이 보유한 재고가 감소세로 돌아섰고, 2분기부터는 메모리 감산에 따른 공급 기업들의 재고도 줄어들 것으로 예상되는 만큼 하반기부터는 시장환경이 개선될 것으로 전망했다. 챗GPT 등 AI용 고성능 서버 시장 규모가 커지고, 고용량 메모리를 채용하는 고객이 늘고 있는 점 또한 시장에 긍정적인 영향을 미칠 것으로 회사는 분석했다.이에 따라, 회사는 서버용 DDR5, HBM과 같은 고성능 D램, 176단 낸드 기반의 SSD, uMCP 제품 중심으로 판매에 집중해 매출을 늘려가기로 했다. SK하이닉스는 전사적으로 투자를 줄여가는 상황에서도 AI 등 앞으로 시장 변화를 주도해 나갈 산업에 활용되는 최신 메모리 제품에 대한 투자는 지속한다는 계획이다. 이와 함께 10나노급 5세대(1b) D램, 238단 낸드 등 기존보다 원가 경쟁력이 높은 공정을 통한 양산 준비에 투자하면서 시황 개선시 실적이 빠르게 반등할 수 있도록 만전을 기할 방침이다. SK하이닉스 김우현 부사장(CFO)은 “DDR5/LPDDR5,HBM3 등 올해부터 수요 성장세가 본격화되고 있는 제품 라인업에서 당사가 세계 최고 경쟁력을 확보한 만큼, 이 제품들을 중심으로 프리미엄 시장 리더십을 확고히 하겠다”고 말했다. 김 부사장은 “여전히 메모리 시장환경은 어려운 것이 사실이지만, 이제 바닥을 지나는 것으로 보인다”며 “조만간 시장이 수급 균형점을 찾을 것이라 보고, 당사는 수익성 제고와 기술개발에 집중해 기업가치를 회복해 나가도록 최선을 다할 것”이라고 덧붙였다.

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  2023-04-26

• 광주시 대표 유망중소기업 및 향토기업 12곳 선정

  광주시는 ‘2023년 유망중소기업 및 향토기업’으로 ㈜태광아이티씨·㈜진우목재 등 12개 업체를 선정했다고 18일 밝혔다. 시는 기업 경쟁력을 강화하고 기업인의 사기 진작과 자긍심 제고를 위해 매년 지역경제 활성화에 기여한 업체를 대상으로 유망중소기업과 향토기업을 선정해 왔다.유망중소기업의 경우 공장등록 후 2년 이상 운영, 성장 잠재력이 높고 기술력이 우수한 업체를, 향토기업은 관내에서 20년 이상 운영, 고용창출 및 지역사회 공헌 등 지역경제 활성화에 기여한 업체를 대상으로 1차 서류평가, 2차 광주시 중소기업지원위원회 심의를 거쳐 선정했다.올해는 유망중소기업으로 ㈜태광아이티씨 외 8개 기업, 향토기업으로는 ㈜진우목재 외 2개 기업이 선정됐다. 선정된 기업에게는 현판 및 공로패(인증서)를 수여하고, 공영주차요금 전액 감면, 육성자금 지원(특례보증, 이차보전 0.5% 추가 감면), 지방세 세무조사 3년 유예, 시책 사업 추천 및 가점 등 시에서 지원하는 각종 인센티브가 제공된다.방세환 광주시장은 "앞으로도 지역을 대표하는 유망한 기업체와 관내에서 지역경제 활성화에 기여도 높은 향토기업을 지속적으로 발굴, 육성해 나갈 예정"이라고 밝혔다.

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  • 향토기업/노사.CEO

  2023-04-18